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GJB 2502.3-2015 航天器熱控涂層試驗(yàn)方法 第3部分：發(fā)射率測(cè)試

京都電子KEM產(chǎn)輻射計(jì)法發(fā)射率測(cè)試儀 D&S AERD運(yùn)用于航天器熱控涂層試驗(yàn)方法 - 發(fā)射率測(cè)試

范圍
本部分規(guī)定了航天器熱控涂層半球發(fā)射率和法向發(fā)射率測(cè)試的目的、范圍和精度、原理、設(shè)備及要求、條件、試樣、程序、數(shù)據(jù)處理和報(bào)告等要求。
本部分適用于航天器熱控涂層發(fā)射率的測(cè)試。

半球發(fā)射率穩(wěn)態(tài)量熱計(jì)法(方法2011)
測(cè)試目的
測(cè)定航天器熱控涂層被測(cè)試樣和參比試樣的半球發(fā)射率。

法向發(fā)射率法(方法2021)
測(cè)試目的
測(cè)定航天器熱控涂層被測(cè)試樣的法向發(fā)射率。

輻射計(jì)法(方法2031)
測(cè)試目的
測(cè)定航天器熱控涂層被測(cè)試樣的半球發(fā)射率。
測(cè)試范圍和精度
半球發(fā)射率測(cè)試范圍為0.03~0.95，測(cè)試精度為0.015。
測(cè)試原理
輻射計(jì)探測(cè)器的輸出信號(hào)與被測(cè)試樣的發(fā)射率成線(xiàn)性關(guān)系，通過(guò)比較輻射計(jì)配備的高、低發(fā)射率參比試樣和被測(cè)試樣輸出信號(hào)的大小，直接得到被測(cè)試樣的發(fā)射率。
測(cè)試設(shè)備及要求
輻射計(jì)探測(cè)器：重復(fù)性±0.01。
毫伏計(jì)：靈敏度0.01mV。
熱沉：導(dǎo)熱良好，表面高輻射。
參比試樣：要求按 GJB 2502.1-2015 中4.3的規(guī)定。
測(cè)試條件
被測(cè)試樣溫度應(yīng)與參比試樣溫度相同。
試驗(yàn)室溫度為15°C~25°C，其他條件按 GJB 2502.1-2015 中4.1規(guī)定。
被測(cè)試樣
表面應(yīng)平整，導(dǎo)熱良好，無(wú)污染。
尺寸應(yīng)大于探測(cè)器直徑，厚度一般不超過(guò)2mm。
曲率半徑應(yīng)滿(mǎn)足儀器要求。
其他要求按 GJB 2502.1-2015 中4.3的規(guī)定。
測(cè)試程序
測(cè)試前準(zhǔn)備
儀器預(yù)熱約30min。
測(cè)試
將高、低發(fā)射率參比試樣置于熱沉上，探測(cè)器分別放到高、低發(fā)射率參比試樣上，通過(guò)微調(diào)使議數(shù)儀表上顯示的數(shù)值等于它們各自的發(fā)射率值，此步驟重復(fù)一遍。
將被測(cè)試樣置于熱沉上，把探測(cè)器放到被測(cè)試樣表面上約90s，待讀數(shù)穩(wěn)定，該讀數(shù)即為被測(cè)試樣的發(fā)射率。此過(guò)程至少進(jìn)行三次。
數(shù)據(jù)處理
以三次測(cè)試值的算術(shù)平均值作為被測(cè)試樣的半球發(fā)射率。
測(cè)試報(bào)告
測(cè)試報(bào)告的要求按 GJB 2502.1-2015 中4.4.3的規(guī)定。

反射法-便攜式(方法2041)
測(cè)試目的
測(cè)定航天器和零部件表面熱控涂層的半球發(fā)射率。

【實(shí)驗(yàn)儀器制備，推薦使用】

產(chǎn)品介紹鏈接：

京都電子KEM 輻射計(jì)法發(fā)射率測(cè)試儀 D&S AERD